AON6244
Gate Charge Test Circuit & Waveform
Vgs
Qg
+
10V
VDC
-
DUT
VDC + Vds
-
Qgs
Qgd
Vgs
Ig
Charge
Resistive Switching Test Circuit & Waveforms
RL
Vds
Vds
Rg
Vgs
DUT
VDC + Vdd
-
90%
10%
Vgs
Vgs
t d(on)
t r
t d(off)
t f
t on
t off
Unclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms
Rg
Vds
Id
Vgs
L
Vgs
VDC + Vdd
-
Vds
Id
2
E AR = 1/2 LI AR
BV DSS
I AR
DUT
Vgs
Vds +
DUT
Vgs
Diode Recovery Test Circuit & Waveforms
Q rr = - Idt
Vgs
Vds -
Ig
Isd
Vgs
L
VDC + Vdd
-
Isd
Vds
I F
dI/dt
I RM
t rr
Vdd
Rev 0: July 2011
www.aosmd.com
Page 6 of 6
相关PDF资料
AON6918 MOSF 2N CH 25V 60/85A DFN5X6A
AON7421 MOSF P CH 20V 50A DFN3.3X3.3EP
AON7423 MOSF P CH 20V 50A DFN3.3X3.3EP
AON7426 MOSFET N-CH 30V 18A DFN3X3
AON7460 MOS N CH 300V 4A DFN3X3A_EP
AOT1606L MOSFET N-CH 60V 178A TO220
AOT4N60 MOSFET N-CH 600V 4A TO-220
AOW480 MOSFET N-CH 80V 15A TO262
相关代理商/技术参数
AON6246 功能描述:MOSFET N CH 60V 80A DFN5X6 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
AON6248 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:DUAL N 制造商:Alpha & Omega Semiconductor 功能描述:MOSFET N-CH 60V 17.5A 8DFN
AON6250 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:150V N-Channel MOSFET
AON6260 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:DFN 5X6 PACKAGE MARKING DESCRIPTION
AON6260L 制造商:AOSMD 制造商全称:Alpha & Omega Semiconductors 功能描述:DFN 5X6 PACKAGE MARKING DESCRIPTION
AON6262E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 40A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaSGT? 包装:剪切带(CT) 零件状态:在售 FET 类型:N 沟道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):40A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值):45nC @ 10V Vgs(最大值):±20V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1650pF @ 30V FET 功能:- 功率耗散(最大值):48W(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):6.2 毫欧 @ 20A,10V 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 标准包装:1
AON6264E 功能描述:MOSFET N-CH 60V 28A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:* 包装:带卷(TR) 零件状态:在售 安装类型:表面贴装 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 标准包装:3,000
AON6266 功能描述:MOSFET N-CH 60V 13A 8DFN 制造商:alpha & omega semiconductor inc. 系列:AlphaMOS 包装:剪切带(CT) 零件状态:有效 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压(Vdss):60V 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):13A(Ta),30A(Tc) 不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):15 毫欧 @ 20A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):30nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容(Ciss):1340pF @ 30V 功率 - 最大值:5W 工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ) 安装类型:表面贴装 封装/外壳:8-PowerSMD,扁平引线 供应商器件封装:8-DFN(5x6) 标准包装:1